Ahmed Mohammed A, Demirel H, Khalaf Mahmood Z. Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica. Nexo Revista Científica [Internet]. 31 de diciembre de 2023 [citado 22 de diciembre de 2024];36(06):892-905. Disponible en: http://revistas.uni.edu.ni/index.php/Nexo/article/view/942